Table of Contents
1
36
EO POWER 32
EO POWER
1
MERCATI
3
PRIMO PIANO
6
Dispositivi SiC da 1200 V per migliorare l’efficienza di EVe infrastrutture energetiche
6
IGBT discreti da 600 V in grado di operare 175 °C
6
Gate driver isolati per il pilotaggio di FET GaN
7
I moduli MOSFET SiC compatti semplificano l’integrazione del sistema di ricarica dei veicoli elettrici negli impianti fotovoltaici
8
In connessione, tra tradizione e innovazione
13
Convertitori DC/DC in fattore di forma MicroModule
18
Ricarica dei veicoli elettrici: alcune domande chiave
22
Come integrare gli stadi di potenza GaN per sistemi di azionamento di motori BLDC efficienti alimentati a batteria
25
Alimentatori multipla uscita: ci sono vantaggi nell’avere unisolamento tra le tensioni di uscita?
31
NEWS
34
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