EO POWER 32

EO POWER - SETTEMBRE 2023 VI Power Dispositivi SiC da 1200 V per migliorare l’efficienza di EV e infrastrutture energetiche Alessandro Nobile onsemi ha annunciato l’introduzione dei dispositivi SiC (Silicon Carbide) da 1200 V della linea EliteSiC di ultima ge- nerazione che permettono ai progettisti che operano nel settore della potenza di ottenere la più elevata efficienza possibile a fronte di una riduzione dei costi del sistema. La nuova gamma, che comprende MOSFET EliteSiC e moduli , permette di ottenere senza problemi velocità di commuta- zione più elevate per supportare la crescente diffusione di OBC (On-board charger) per veicoli elettrici (EV) da 800 V e Nexperia ha fatto il suo ingresso nel mercato dei transi- stor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) con il lancio di una serie di dispositivi da 600 V espressamente ideati per soddisfare l’esigenza di dispositivi di commutazione efficienti ad alta tensione. In questo modo è possibile ot- tenere una maggiore densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza e di azionamento. Tra i principa- li impieghi si possono annoverare azionamenti di motori industriali (come servomotori con potenze comprese tra 5 e 20 kW), Robotica, inverter di potenza, UPS (Uninterrup- tible Power Supply), stringhe fotovoltaiche (PV), ricarica di veicoli elettrici (EV), sistemi di saldatura e riscaldamento a induzione). Il primo componente della serie è un IGBT da 30 A identificato dalla sigla NGW30T60M3DF. Il nuovo portafoglio EliteSiC di onsemi comprende MOSFET a commutazione veloce e moduli di potenza integrati caratterizzati dai più bassi valori di Rds(on) per ogni posizione dello switch ospitati in package standard un gran numero di infrastrutture energetiche , tra cui rica- rica di EV , sistemi fotovoltaici e per l’accumulo di energia . La gamma comprende anche i nuovi dispositivi EliteSiC M3S sotto forma di moduli PIM (Power Integrated Modu- le) in configurazione a mezzo ponte (half bridge) ospitati in package F2 standard che si distinguono per i bassissimi valori di Rds(on). Destinati ad applicazioni industriali, que- sti moduli rappresentano la soluzione ideale per gli stadi di conversione DC-AC, AC-DC e DC-DC ad alta potenza. Essi assicurano il più elevate livelli di integrazione con substrati DBC (Direct Bonded Copper) ottimizzati per consentire una condivisione della corrente bilanciata e una distribuzione termica uniforme tra switch paralleli. I moduli PIM sono stati ideati per garantire un’elevata densità di potenza in applicazioni quali infrastrutture energetiche, ricarica velo- ce in DC dei veicoli elettrici e gruppi di continuità (UPS). I MOSFET EliteSiCda 1.200Vqualificati per applicazioni auto- motive sono progettati per OBC ad alta potenza fino a 22 kW e convertitori DC-DC per alte e basse tensioni. La tecnologia M3S, espressamente sviluppata per applicazioni a elevata velocità di commutazione, si distingue per le migliori figure di merito per quanto concerne le perdite di commutazione. IGBT discreti da 600V ingrado di operare fino a 175 °C Emanuele Dal Lago