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EO POWER - OTTOBRE 2022 XII zione possono essere spenti in sicurezza con soli 0 V senza accensioni parassite che potrebbero essere causate da un dV DS /dt elevato. Di conseguenza, il circuito del gate driver può essere semplificato eliminando l’esigenza di una pola- rizzazione negativa per lo spegnimento. La tabella 1 mostra la linea di MOSFET SiC di quarta genera- zione di ROHMda 750 V e 1.200 V. I dispositivi sono disponi- bili nella versione THD TO-247N e TO-247-4L e nella versio- ne SMD TO-263-7L. La certificazione automotive è prevista per tutti i dispositivi contrassegnati con un asterisco (*). Impostazione del tempo di blanking e del tempo morto In fase di regolazione del controllo PWM è necessario tenere in considerazione gli errori associati alla rile- vazione dello zero-crossing dell’AC e degli elementi parassiti dei MOSFET. In questo EVK TP-PFC è stato in- serito un tempo di blanking pari a 50 µs attorno allo ze- ro-crossing dell’AC, durante il quale i quattro commu- di commutazione sono del 50% inferiori rispetto alla ter- za generazione grazie a una capacità parassita gate-drain “C GD ” drasticamente ridotta (Fig. 4). Questo si traduce in una maggiore efficienza di conversione. Per il pilotaggio del gate, invece della tensione gate-source di 18 V “V GS ” necessaria con i MOSFET SiC di terza genera- zione e precedenti, i nuovi prodotti supportano un range di tensione di gate più flessibile (15-18 V). Inoltre, grazie alla riduzione della capacità parassita “C GD ” e, di conseguenza, del rapporto tra C GS e C GD , i MOSFET SiC di quarta genera- Power Fig. 4a – Riduzione della resistenza in stato ON nei MOSFET SiC di quarta generazione di ROHM Fig. 4b – Confronto della perdita di commutazione tra i MOSFET SiC di terza e di quarta generazione di ROHM Tab. 1a - Gamma di MOSFET SiC di ROHM di quarta generazione da 750 V Tab. 1b - Linea MOSFET da 1200 V