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PRIMO PIANO EO POWER - OTTOBRE 2021 XI restare unmotore il 50% più rapidamente rispetto alle tra- dizionali tecniche di controllo del motore. Inoltre, questi dispositivi possono arrestare un motore senza restituire indiscriminatamente energia nel rail, proteggendo quindi il sistema da eventuali danni. MCF8316A e MCT8316A possono consentire ai progettisti di ridurre l’ingombro su scheda fino al 70% e di ridurre il costo totale del sistema motore. Questi dispositivi inte- grano tre driver del gate e sei MOSFET high-side e low-si- de con 50 mΩ di resistenza on-state (R DS(on) ): si tratta dei primi driver per motori BLDC a consentire fino a 70 W di potenza con 8 A di corrente di picco per sistemi a 12 e 24 V. I driver per motori integrano inoltre componenti come un regolatore a basso dropout, un regolatore step-down CC/ CC e amplificatori di rilevamento della corrente, elimi- nando fino a 18 circuiti integrati discreti. Le versioni di pre-produzione di MCF8316A e MCT8316A sono disponibili esclusivamente su TI.com in un package quad flat no-lead da 40 pin e 5 mm x 7 mm. Ulteriori infor- mazioni su http://www.ti.com/mcf8316a-pr-eu e http:// www.ti.com/mct8316a-pr-eu . Ulteriori informazioni sono disponibili nell’articolo tecnico “ Tre modi per ridurre il tempo di ciclo nella progettazione con motori brushless in CC ”. Il brief applicativo “ Come ridurre il rumore nei motori con driver per motori BLDC senza codice e sensorless ” con- tiene informazioni sulle modalità di utilizzo di questi di- spositivi per ottenere le migliori prestazioni acustiche nei progetti per elettrodomestici. Toshiba Electronics Europe ha annunciato l’introduzione di TPHR7404PU, un MOSFET a canale N da 40 V che utiliz- za il processo U-MOSIX-H di ultima generazione. Il picco ridotto (low-spike) del MOSFET riduce le sovraelongazioni nelle applicazioni a commutazione. Ciò rende il dispositi- vo ideale per la rettifica sincrona sul lato secondario nelle applicazioni di alimentazione a commutazione, grazie al suo contributo alla riduzione delle EMI. Questo risultato è ottenuto mantenendo una resistenza di accensione estre- mamente bassa, pari a soli 0,74 mΩ (max) con una VGS di 10 V. Una tensione di soglia del gate compresa fra 2 V e 3 V (Id =1mA) aiuta a evitare l’accensione involontaria, ad esempio negli strumenti alimentati a batteria. Il dispositivo TPHR7404PU presenta una struttura della cella innovativa, che utilizza una rete di snubber paras- MOSFET di potenza a canale N da 40 V conpiccoridotto Alessandro Nobile sita, che limita in questo modo il rumore e l’oscillazione durante la commutazione. Ciò si traduce in una tensione di picco inferiore durante la commutazione e in una ri- duzione dell’oscillazione del segnale. Applicazioni quali i convertitori DC-DC ad alta efficienza, i driver per motori e i regolatori di tensione a commutazione trarranno van- taggio dalla caratteristica a basso picco del dispositivo. Il MOSFET è disponibile in un package SOP Advance da 5 x 6 mm, e le sue dimensioni ridotte e la resistenza termi- ca da canale a case estremamente ridotta di 0,71 °C/W lo rendono adatto alle soluzioni di alimentazione compatte e ottimizzate in termini di efficienza. Maggiori informazioni sono disponibili all’indirizzo: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/ product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPHR7404PU.html Il nuovo MOSFET di Toshiba riduce le EMI nelle applicazioni di alimentazione a commutazione