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POWERS DISCRETES POWER 21 - GENNAIO/FEBBRAIO 2020 di 20 A. Il range di temperatura esteso da -55 a +145 °C lo candida a soluzione ideale per i sistemi di iniezione e accensione elettronica. Lo sviluppo degli IGBT ha ormai raggiunto il limite teorico imposto dalla tecnologia al si- licio, impedendo un’ulteriore riduzione delle perdite di potenza e il conseguente miglioramento dell’efficienza. La recente introduzione sul mercato dei semicondutto- ri wide bandgap ha permesso di superare queste limita- zioni. I SiC power MOSFET presentano basse perdite di conduzione e di commutazione, bassa resistenza di gate, elevata efficienza e ottima tolleranza nei confronti dei corti circuiti. Queste proprietà consentono al transistor di operare a tensioni e temperature superiori, con una migliore dissipazione termica che comporta un rispar- mio sui sistemi di raffreddamento e sulle dimensioni del package. Wolfspeed , azienda all’avanguardia nello svi- luppo di componenti basati sulla tecnologia wide band- gap, dispone di una vasta selezione di SiC MOSFET con elevata tensione di blocco, elevata frequenza di commu- tazione e basse perdite di potenza. C3M0030090K (Fig. 1) è un MOSFET planare al carburo di silicio racchiuso in un contenitore a bassa induttanza e ampia distanza di clearance (circa 8 mm) tra drain e source, in grado di garantire un elevato isolamento in ogni condizione operativa. Diodi Schottky e tiristori I diodi Schottky utilizzano una giunzione metallo-se- miconduttore caratterizzata da una caduta di tensione inferiore rispetto a quella di un diodo al silicio e da un’elevata velocità di commutazione. Il semicondutto- re di tipo P viene sostituito con un metallo, tipicamente alluminio o platino, formando una giunzione metallo- semiconduttore di tipo N detta anche barriera Schottky. Questi diodi possono commutare a frequenze molto più elevate dei diodi a giunzione P-N e per questo motivo sono largamente utilizzati nelle applicazioni di potenza e nel settore RF. Un altro componente comune nelle applicazioni di potenza è il tiristore, noto anche come SCR (Silicon Controlled Rectifier). Composti da quat- tro strati di semiconduttore differentemente drogati, i tiristori si comportano come degli interruttori control- lati elettronicamente. Gli SCR sono utilizzati in diverse applicazioni di elettronica di potenza come controllo di carichi alimentati in corrente alternata, sistemi di prote- zione dalle sovratensioni, controllo luci stroboscopiche, flash e circuiti di accensione a scarica capacitiva.