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VII POWER 20 - GENNAIO-FEBBRAIO 2019 GAN ICS riescono così a manifestare una robustezza vicina a quella del diamante e sopportare temperature e radiazioni estreme come quelle spaziali. I transistor GaN sono di tipo HEMT, High Electron Mobility Transistor, ossia dei FET con in base una giunzione metallo-semiconduttore in nitruro di gallio. In maggioranza sono a svuotamento con la base conduttiva che commuta applicando tensione svuotandosi nello stato isolante ma più recentemente sono disponibili anche ad arricchimento, eHEMT, dove al contrario la base commuta dall’isolamento alla conduzione. EPC eGAN Il CEO di Efficient Power Conversion (EPC) è il pioniere dei FET Alex Lidow che circa quarant’anni fa sviluppò la tecnologia che portò alla realizzazione dei mosfet di potenza Hexfet, i quali divennero un prodotto di punta di Interna- tional Rectifier dove lui è stato CEO per trent’anni fino al 2007 quando decise di dedicarsi alle nuove tecnologie nate dall’evoluzione del nitruro di gallio, mentre nel frattem- po IRF finì acquisita da Infineon nel 2015. Fra i numerosi brevetti conseguiti nei laboratori EPC di El Segundo, in Ca- lifornia, troviamo nel 2009 lo sviluppo della tecnologia di fabbricazione dei transistor GaN ad arricchimento, eGAN, con lo stato di riposo isolante e la commutazione che serve a far passare la base in conduzione. Spicca la robustezza di questi transistor che viene garantita niente meno che per nove milioni di ore di commutazione continua. Alla scorsa edizione del CES EPC ha presentato il 300 W GaN-Based Wirelessly Powered Smart-Desk interamente fabbricato con i suoi transistor eGaN capaci di fornire 100 V riducendo come minimo di un quarto R dsON e consumi rispetto a un analogo transistor di silicio con le stesse prestazioni e ancor di più all’aumentare della tensione di lavoro. Le stazioni di ricarica Wireless Power Kit EPC912x sono proposte da 10, 16 e 33 W e consentono di trasferire energia agli apparecchi elet- tronici rapidamente e senza fili. EPC ha anche presentato i tre nuovi transistor eGaN EPC2049, EPC2107 ed EPC2108. Il primo ha una resistenza di conduzione di 5 mΩ e forni- sce 40 V continui o 48 V impulsati mentre in corrente eroga 16 A continui che diventano 175 A in regime impulsato. Il package misura 2,5 x 1,5 mm e sopporta le temperature da -40 a +150 °C. Nel transistor EPC2107 ci sono tre eGaN di cui due sono di potenza mentre uno serve a comandarne le basi. Grazie alla resistenza di conduzione di 390 mΩ dei due transistor di potenza fornisce 100 V continui o 120 V im- pulsati mentre la corrente erogata è di 1,7 A continui o 3,8 A impulsati. Il package scende ulteriormente a 1,35 x 1,35 mm con la medesima tolleranza termica fra -40 e +150 °C. Stesso package da 1,35 x 1,35 mm e stessa tenuta termica per l’EPC2108 altrettanto fabbricato con due transistor eGaN di potenza e uno che ne comanda le basi. Qui la R dsON è di 240 mΩ e consente di fornire 60 V di tensione continua o 72 V di tensione impulsata mentre in corrente l’erogazione è di 1,7 A continui o 5,5 A impulsati. Oltre che nelle nuove stazioni di ricarica questi transistor trovano impiego in tutti i sistemi La stazione di ricarica Wireless Power EPC con transistor EPC912x presentata in tre opzioni da 10, 16 e 33 W I nuovi transistor eGaN EPC2107 e EPC2108 misurano 1,35x1,35 mm, forniscono 100/60 V continui o 120/72 V impulsati ed erogano 1,7 A continui o 3,8/5,5 A impulsati Il driver di comando per diodi laser EPC9126HC fabbricato con i transistor eGaN eroga impulsi di 150 A con durata di 5 ns ideali per i sistemi Lidar