EO_Power-473
XIV Power POWER 19 - OTTOBRE 2018 nel trasduttore garantiscono una risposta con oscillazioni e overshoot molto piccoli. L’affermazione fatta in preceden- za, che i trasduttori GO non sono disturbati da campi ma- gnetici esterni, risulta vera se l’uscita elettrica amplificata delle celle Hall da entrambi i lati è la stessa, poiché viene utilizzata la differenza tra le due uscite. Per soddisfare que- sta condizione: (i) la sensibilità delle celle Hall su entrambi i lati del prima- rio (e degli amplificatori a cui sono collegate) deve essere la stessa; cioè, devono essere ben abbinati; (ii) il campo magnetico deve essere uguale su entrambi i lati del primario; deve cioè essere uniforme. Considerando il punto (i), poiché le celle Hall e gli ampli- ficatori sono realizzati con dispositivi di grandi dimensioni, il loro abbinamento è eccellente. Quando un campo ma- gnetico esterno uniforme viene applicato ad un trasduttore GO, viene quasi perfettamente respinto. Tuttavia, per il punto (ii) i campi magnetici generati dai conduttori posti vicino al trasduttore non sono uniformi e le uscite dai due lati del primario non saranno perfetta- mente respinte. Ciò è stato verificato nel caso di conduttori collocati in 4 diverse posizioni vicino ad un trasduttore di GO (si faccia riferimento alla figura 5). Il caso peg- giore è la posizione 3 in cui il conduttore esterno è allineato con il primario GO. Se il conduttore esterno porta 10 A ed anche la corrente misurata è di 10 A, l’errore di uscita del trasduttore dovuto alla corrente esterna sarà solo l’1% circa della corrente misurata, anche a distan- za nulla tra il conduttore esterno e il GO. Questa ricerca mostra che con un minimo di attenzione nella pro- gettazione del layout del PCB, i conduttori esterni avranno un’influenza trascurabile sulla precisione dei trasduttori della Serie GO. Un’altra importante considerazione nei trasduttori minia- turizzati è l’effetto di un’improvvisa variazione di tensione primaria sull’uscita del trasduttore. Questo è gestito me- glio a livello ASIC. Dove i livelli del segnale interno sono piccoli, sono sempre differenziali e le variazioni nel loro livello common mode a causa di un transiente esterno han- no scarsi effetti. I nodi sensibili possono essere protetti da piccoli schermi con messa a terra sullo strato superiore me- tallico. Lo screening viene utilizzato solo sulle piccole aree in cui è necessario. Questo ha molti vantaggi rispetto agli schermi di grandi dimensioni: lo strato metallico superiore rimane disponibile per l’interconnessione dove gli schermi non sono necessari; l’ASIC die non è nascosto e le parti danneggiate possono essere analizzate, e non ci sono cor- renti parassite che rallenterebbero i tempi di risposta. La figura 6 mostra l’effetto di un dv/dt di 5 kV/us sull’usci- ta di un 25 A GO (GO 25-SMS). Il picco del disturbo sull’u- scita è il 4% di IPN e il tempo di recupero è di circa 3,6 us. In questo articolo è stata presentata una nuova serie di tra- sduttori miniaturizzati, veloci e precisi, per la misura isolata di correnti AC e DC. Alcuni dei loro parametri elettrici sono simili a quelli dei trasduttori con circuito magnetico e altri sono modificati. Trasduttori diversi saranno adatti ad applicazioni diverse e l’aggiunta di questa serie al catalogo LEM estenderà le pos- sibilità dei progettisti di sistemi di ottimizzare i loro sistemi con i mezzi più efficienti e convenienti per la misurazione della corrente isolata. Bibliografia David Jobling: New open-loop current transducers with near closed-loop performance. Atti del PCIM Conference. Maggio 2014, pag. 222-6 Fig. 5 – Effetto dei conduttori esterni sulla precisione di un trasduttore GO. L’errore viene visualizzato quando le correnti nel primario GO e nel conduttore esterno sono le stesse Fig. 6 – Risposta di un trasduttore GO (GO 25-SMS) dopo un disturbo dv/dt
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RkJQdWJsaXNoZXIy MTg0NzE=