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EO LIGHTING - NOVEMBRE/DICEMBRE 2022 XXVII L’illuminazione a LED ad alta tensione si è dimostrata un valido sostituto delle tecnologie precedenti, come l’illuminazione a scarica di alta intensità (HID). Con l’adozione dell’illuminazione a LED ad alta tensione, molti produttori si sono affrettati a produrre e imple- mentare tali apparecchi in diverse applicazioni. Seb- bene si sia registrato un aumento significativo della qualità della luce e della densità di potenza, l’efficienza ha assunto una notevole importanza. Inoltre, le prime applicazioni hanno registrato tassi di avaria molto più alti del previsto. La sfida principale dell’illuminazio- ne a LED ad alta tensione è quella di aumentare con- tinuamente la densità di potenza e l’efficienza, oltre a renderla più affidabile e conveniente per le applicazio- ni future. In questo articolo si parlerà della tecnologia GaN (ampio bandgap) e di come può affrontare la sfida dell’efficienza e della densità di potenza per l’illumi- nazione a LED ad alta tensione. Verrà mostrato come sia possibile utilizzare la tecnologia ad ampio band- Una soluzione GaN per applicazioni LED ad alta tensione Rolf Horn Applications Engineer Digi-Key Electronics La tecnologia ad ampio bandgap permette di ottimizzare l’efficienza e la densità di potenza nell’illuminazione LED ad alta tensione gap per ottimizzare l’efficienza e la densità di potenza, con un’attenzione particolare alla componente “buck” dell’architettura del driver LED illustrata nella figura 1. I semiconduttori ad ampio bandgap (GaN) possono operare a frequenze di commutazione più elevate ri- spetto ai semiconduttori convenzionali come il silicio. I materiali ad ampio bandgap richiedono una quantità Fig. 1 – Architettura di sistema di un driver LED ad alta potenza non isolato (Fonte: STMicroelectronics ) WBG SEMICONDUCTORS