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Lighting EO LIGHTING - MARZO 2022 X Test al banco Sono state misurate l’efficienza del sistema, l’energia per durante la commutazione dei MOSFET (allo spegnimento) e le temperature degli interruttori nell’intero range di po- tenza da 30 W a ≈300 W. L’emissione EMC è stata misurata invece a 150 W di po- tenza in uscita poiché è il punto con la corrente Id massi- ma nello spegnimento del MOSFET di potenza. Il livello di corrente di commutazione dell’Id potrebbe influire diret- tamente sulle prestazioni EMC. Il setup di test è riportato in figura 3, mentre nella tabella 1 sono riassunti i risultati del confronto tra i più importanti parametri dei MOSFET analizzati. Risultati sperimentali L’efficienza del sistema è pressoché la stessa per i due MO- SFET nell’intera gamma di potenza. Misurando le temperature delcase del MOSFET (senza dis- YOKOGAWA WT310 Tektronix DPO 7104C Power Source Agilent 6813B YOKOGAWA WT310 300W LED Dimmable Light Bulb Fluke TI401PRO DIMMER 120VAC, 60Hz, 300W Fig. 3 – Configurazione del test set Devices STF75NF25 Planar STripFET II Competitor RDSon (mΩ) measured @ Id=15A, Vgate=10V 43 45 Gate charge total (nC) 88 22 VGSth (V) 4 3 Ciss (pF) 3084 1800 Coss (pF) 263 110 Crss (pF) 44 5 Tabella 1 – Confronto tra i principali parametri dei MOSFET analizzati System efficiency 6 88,0% 90,0% 92,0% 94,0% 96,0% 98,0% 100,0% 20 70 120 170 220 270 320 Power Eff. (%) Pout (W) STF75NF25 COMPETITOR CASE TEMPERATURE 8 30 32 34 36 38 40 42 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 temperature ( ° C) Pout (W) STF75NF25 COMPETITOR sipatore di calore), le differenze tra i due dispositivi sono inferiori a 1 grado centigrado nell’intero range di potenza di uscita (Fig. 4). Fig. 4 – Efficienza del sistema e temperature di cassa del singolo MOSFET