Anvo-Systems: SRAM seriale non volatile (nvSRAM) 1 Mbit.

Pubblicato il 4 agosto 2015

Anvo-Systems ha presentato la SRAM ANV32AA1W seriale non volatile (nvSRAM) con capacità di memorizzazione elevata di 1 Mbit. L’nvSRAM ha un elemento di storage di silicon–oxide–nitride–oxide–silicon (SONOS) incluso in ogni cella di memoria. In caso di caduta di tensione operativa imprevedibile al di sotto di un valore definito, la tecnologia robusta SONOS consente la memorizzazione non volatile di tutti i dati in meno di 15 ms. Il dispositivo di memoria non-volatile fornisce anche vantaggi tipici delle memorie statiche ad accesso casuale (SRAM), come ad esempio tempi di accesso rapidi e senza limiti di lettura e scrittura.

Il nvSRAM serial ANV32AA1W con architettura a doppia memoria è organizzata come 128 k parole di 8 bit ciascuna e supporta le modalità SPI 0 e 3.

ANV32AA1W con clock di 66 MHz può essere azionato da 2,7 V a 3,6 V ed è disponibile in package DFN 8 pin e TSSOP 169 mil 16 pin per un range di temperature commerciali e industriali da -40 °C a + 85 °C. ANV32AA1W è adatto per applicazioni come i dispositivi medici, automazione industriale, tecnologia di misurazione e molti altri.

 



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