Innoscience Technology ha sottoscritto un accordo di distribuzione mondiale con WPG Holdings che consente a clienti in tutto il mondo di accedere ai transistor HMET con tecnologia GaN realizzati da Innoscience per applicazioni in alta e bassa tensione.
Il Dott. Denis Marcon, General Manager di Innoscience Europe, ha dichiarato: “Il nostro obiettivo è che ogni progettista di elettronica di potenza, in qualunque parte del mondo, possa beneficiare dei vantaggi che la tecnologia GaN offre in termini di efficienza, potenza e dimensioni. Per questo motivo abbiamo investito nell’aumento di capacità, la più grande del mondo. La distribuzione è una parte altrettanto importante dei nostri piani, pertanto siamo entusiasti e onorati di presentare WPG, il principale distributore mondiale di semiconduttori, come nostro primo partner per la supply chain globale.”
Nigel Watts, VP, WPG EMEA, ha aggiunto: “La tecnologia GaN si avvia a una crescita esplosiva, perché tutti i mercati, dal largo consumo alle comunicazioni, dagli autoveicoli all’industria, stanno compiendo un balzo in avanti nelle prestazioni dei prodotti finali ottenibili grazie al passaggio dai tradizionali dispositivi di potenza al silicio alle nuove soluzioni GaN. Innoscience è il più grande produttore mondiale di dispositivi GaN-on-Si da 8 pollici, con una capacità di 10.000 wafer al mese (WPM), destinata ad aumentare a 70.000 WPM entro il 2025. La firma dell’accordo globale con WPG si inserisce perfettamente in questo quadro. Il prodotto è disponibile fin da subito e i tempi di consegna sono molto più veloci rispetto alle tradizionali alternative in silicio. Le aziende potranno così progettare subito e produrre prima.”