Toshiba introduce MOSFET di potenza a canale N da 100V per applicazioni industriali

Pubblicato il 30 marzo 2018

Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua serie di MOSFET a bassa potenza IX-H U-MOS a canale N con due nuovi prodotti a 100V.

I modelli TPH3R70APL e TPN1200APL sono prodotti con il più recente processo U-MOS IX-H trench a bassa tensione di Toshiba, che ottimizza la struttura degli elementi. I valori di resistenza, infatti, sono di 3,7mΩ e 11,5mΩ rispettivamente. Per le altre principali caratteristiche tecniche, i dispositivi hanno valori di carica in uscita (QOSS) di 74/24nC e una Gate Switch Charge (QSW) di 21/7,5nC e permettono di ottenere un livello logico di pilotaggio di 4,5V.

TPH3R70APL è ospitato in un package SOP Advance da 5x6mm e può gestire correnti di drain (ID) fino a 90A, mentre TPN1200APL è disponibile in package TSON Advance da 3x3mm e gestisce livelli ID fino a 40A.

I nuovi dispositivi sono particolarmente interessanti per l’alimentazione in impianti industriali e per le applicazioni di controllo dei motori.

 

 

 

 

 



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