Toshiba amplia la sua gamma di MOSFET U-MOS-IX-H

Pubblicato il 30 novembre 2017

Toshiba Electronics Europe ha esteso la propria linea di MOSFET basati sul suo processo produttivo U-MOS-IX-H trench con un nuovo dispositivo a 40V, siglato TPH1R204PB, particolarmente compatto e caratterizzato dalla presenza di un diodo SRD. Questo particolare tipo di diodo permette di mantenere molto bassi i picchi di tensione generati fra drain e source durante la commutazione.

Questa caratteristica rende il MOSFET idoneo per la rettificazione sincrona per il lato secondario degli alimentatori switching che richiedono EMI ridotte. Le applicazioni di riferimento comprendono i convertitori AC-DC e DC-DC e ,inoltre, gli azionamenti dei motori, per esempio per gli utensili cordless.

TPH1R204PB è un dispositivo a canale N con una resistenza di on massima (RDS(ON)) di 1,2mΩ (@ VGS = 10V). La carica nominale in uscita (QOSS) è pari a 56nC. Il dispositivo è fornito in un package SOP che misura 5x6x0,95mm.



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