Texas Instruments: MOSFET di potenza FemtoFET da 1,2 mm^2 a 60V a N

Pubblicato il 22 giugno 2016

Texas Instruments ha presentato un nuovo transistor di potenza FemtoFET da 60V a N canali caratterizzato dalla resistenza più bassa del settore, ovvero del 90% inferiore rispetto agli interruttori di carico tradizionali a 60V; questo permette di ridurre la perdita di potenza nei sistemi finali. CSD18541F5 è offerto in un minuscolo package da 1,53 mm per 0,77 mm a base di silicio con un ingombro dell’80% inferiore rispetto agli interruttori di carico forniti nei package SOT-23.

Il transistor a effetto campo a struttura metallo-ossido-semiconduttore CSD18541F5 (MOSFET) presenta una resistenza tipica quando attivo (Rdson) di 54 mΩ ed è progettato e ottimizzato per sostituire i MOSFET standard per piccoli segnali in applicazioni industriali per commutazione di carico in spazi limitati. Il piccolissimo package LGA (land grid array) è caratterizzato da un pitch su scheda di 0,5 mm per un facile montaggio.

CSD18541F5 espande il portafoglio tecnologico NexFET di MOSFET FemtoFET di TI per includere tensioni più elevate e ingombri di più facile integrazione nella produzione.

pb



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