NXP: nuovi transistor di potenza RF Airfast 3

Pubblicato il 29 novembre 2016

rf-airfast3-connected-365x284NXP ha presentato i transistor di potenza RF Airfast 3 alloggiati in package plastico con cavità d’aria che combinano elevate prestazioni RF con una più bassa resistenza termica in modo da ridurre significativamente la dissipazione di calore complessiva del sistema.
Questi componenti, destinati a potenziare le infrastrutture cellulari avanzate delle Smart Cities, sono conformi ai requisiti relativi alle macro base station con funzionamento compreso tra 1805 e 2690 MHz.
Questi quattro transistor LDMOS costituiscono la terza generazione del prodotto e, rispetto agli Airfast 2, raggiungono un rendimento superiore anche di 4 punti percentuali (53% di efficienza dello stadio finale e fino al 50% di efficienza del lineup), un incremento del 20% a livello di performance termica, una larghezza di banda dell’intero segnale fino a 90 MHz e un risparmio di spazio che può arrivare al 30%.

FF



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