Macom Technology Solutions: transistor di potenza pulsed 15 W GaN-Sic

Pubblicato il 12 settembre 2014

Macom Technology Solutions ha annunciato un nuovo transistor di potenza GaN HEMT su SiC per applicazioni radar ad impulsi civili e militari in banda L e S-Band.

MAGX-000035-015000 e MAGX-000035-01500S sono ottimizzati per una varietà di applicazioni di amplificatori di potenza RF. I dispositivi forniscono una tipica potenza di uscita di picco di 17 W con 15,5 dB di guadagno di potenza e di efficienza del 63%. Questi transistor ad alte prestazioni sono assemblati utilizzando lo stato dei processi di fabbricazione di wafer e forniscono alto guadagno, efficienza, larghezza di banda, e robustezza per le esigenze delle applicazioni attuali.

I parametri principali sono i seguenti:

Frequenza DC-3.5 GHz
Potenza di uscita: 17.7 W
Guadagno in potenza: 15.5  dB
Droop: 0.1 dB

I dispositivi sono estremamente robusti e vantano un tempo medio di guasto (MTTF) di 600 anni.



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