IR HiRel: nuova famiglia di MOSFET resistenti alle radiazioni

Pubblicato il 17 gennaio 2017

Sono destinati sostanzialmente alle applicazioni spaziali i nuovi MOSFET IRHNJ9A7130 e IRHNJ9A3130 di IR HiRel, un’azienda di Infineon Technologies AG.

Rispetto alle precedenti tecnologie, questi componenti offrono diversi miglioramenti dal punto di vista di dimensioni peso e potenza, tutti fattori che rivestono una particolare importanza nei satelliti. Di fatto le applicazioni comprendono, per esempio, i convertitori DC-DC per apparecchiature spaziali, intermediate bus converter, controller per motori.

Questi nuovi MOSFET sono caratterizzati da una immunità TID (total ionizing dose) di 100 kRad (IRHNJ9A7130) e 300 kRad (IRHNJ9A3130).

L’RDS (on) tipica di 25 mΩ insieme ai miglioramenti per la corrente di drain (35A contro i 22A delle versioni precedenti) permettono a questi MOSFET di aumentare la densità di potenza e di ridurre le perdite nelle applicazioni di switching.

Entrambi i nuovi dispositivi utilizzano un package ceramico ermeticamente sigillato, a montaggio superficiale (SMD-0.5), ma sono disponibili anche come bare die.



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